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NP80N03EDE, NP80N03KDE, NP80N03CDE, NP80N03DDE, NP80N03MDE, NP80N03NDE
5)TO-220 (MP-25K)
6)TO-262 (MP-25SK)
10.0 ± 0.2
φ 3.8 ± 0.2
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
10.0 ± 0.2
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
4
1 2
3
4
1 2 3
1.27 ± 0.2
0.8 ± 0.1
1.27 ± 0.2
0.8 ± 0.1
0.5 ± 0.2
2.5 ± 0.2
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5 ± 0.2
2.5 ± 0.2
2.54 TYP.
2.54 TYP.
1.Gate
2.Drain
3.Source
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
4.Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Body
Gate
Remark
8
Diode
Source
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
Data Sheet D15310EJ3V0DS
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